Photoluminescence of Point Defects in Silicon Dioxide by Femtosecond Laser Exposure - Université Jean-Monnet-Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2021

Photoluminescence of Point Defects in Silicon Dioxide by Femtosecond Laser Exposure

Fichier non déposé

Dates et versions

ujm-03271883 , version 1 (27-06-2021)

Identifiants

Citer

Vincenzo de Michele, Emmanuel Marin, Aziz Boukenter, Marco Cannas, Sylvain Girard, et al.. Photoluminescence of Point Defects in Silicon Dioxide by Femtosecond Laser Exposure. physica status solidi (a), 2021, pp.2000802. ⟨10.1002/pssa.202000802⟩. ⟨ujm-03271883⟩
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